东微半导(688261.SH)：在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品领域形成了一系列具有自主知识产权的核心技术_世界观热点
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格隆汇5月12日丨东微半导(688261.SH)于2023年5月12日10:00-11:00召开2022年年度业绩说明会，问答环节中，就“可否详细介绍下公司的主要核心技术优势？”，公司回复称，作为功率半导体设计公司，设计和工艺的双重掌握是公司主要的壁垒和核心竞争力，也是公司的立足之本。公司持续专注底层器件结构的自主创新，在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品领域形成了一系列具有自主知识产权的核心技术。公司在前述核心技术基础上进一步开发出具有自主知识产权的新型高压超级硅MOSFET功率器件及其工艺技术、新型Si2C MOSFET功率器件及其工艺技术以及新型高压Hybrid-FET器件及其工艺技术。公司掌握的上述核心技术大部分为国内领先或国际先进且被广泛应用于公司各类产品的批量生产中。
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